ภาษาไทย

บทความ / รีวิว

บทความ / รีวิว

images/863e498e-4b56-4f90-a42f-669a096b6589.jpg

Samsung พัฒนาชิปแรม DDR5 24 Gb ความจุสูงสุด 768 GB

Posted 31.07.2021 | ข่าวสารน่ารู้

Samsung พัฒนาแรม DDR5 ใหม่ขนาด 768 GB สำหรับระบบ Cloud Datacenter และยังมีเป้าหมายเตรียมนำเอาชิป DDR5 24 Gb มาทำแผงแรมขนาด 24 GB และ 48 GB สำหรับเครื่อง PC สำหรับผู้บริโภคด้วย

ถ้าหากว่ามีการใช้แรมเต็มระบบทั้งหมดของเครื่อง Server ที่ 8 Channel โดยมีแรม 2 แผงต่อ Channel ก็จะได้ความจุแรมเต็มระบบที่ 12 TB กันเลยทีเดียว

นอกจากนั้นยังมีแผนสำหรับกลุ่มแรมเครื่อง Server ทั่วไป ที่ขนาดความจุต่อแผง 96 GB, 192 GB และ 384 GB ด้วย

ก่อนหน้านี้ Samsung ได้โชว์ตัวอย่างแรมที่พัฒนามาใหม่ DDR5 ขนาด 512 GB เพื่อรอรองรับกับชิปประมวล Intel Sapphire Rapids ที่มีแผนวางจำหน่ายช่วงปี 2022 ที่จะถึงนี้ สำหรับกลุ่มเครื่อง Server โดยใช้เป็นชิปขนาด 16 GB ทั้งหมด 32 ตัว

แรมใหม่ขนาด 512 GB และ 768 GB นี้จะใช้โหนดการผลิต Samsung D1a ที่ระดับ EUV ขนาด 14nm โดย Samsung ยอมรับว่ายังไม่สามารถลดขนาดการผลิตลงไปที่ระดับ 7nm ได้สำหรับชิป 16 Gb และ 32 Gb เพราะเป็นข้อจำกัดของโหนด D1a แต่ความจุที่ได้ในตอนนี้ก็มากเพียงพอให้ใช้งานกันไปได้อีกหลายปี ให้ Samsung ยังมีเวลาในการพัฒนาระบบการผลิตใหม่ขึ้นมารองรับต่อไป ส่วนชิป 24 Gb นั้นคาดว่าจะได้เห็นกันในช่วงปี 2023 โน่นเลย

แหล่งข่าว Notebookcheck


สามารถเลือกซื้อ แรม ได้ที่ https://computeandmore.com/categories/components-diy/ram
หรือจัดสเปคคอมได้ที่ https://computeandmore.com/custom-spec
เลือกอ่านบทความอื่นๆของ Compute And More ได้ที่ https://computeandmore.com/blogs